日本の半導体はなぜサムスンに完敗したのか?理由を知れば納得するしかない…

写真はイメージです Photo:PIXTA

30年前、日本では“不良品が多い2流の安売りメーカー”と見なされていたサムスン。だがいまや、半導体分野で世界をリードし、日本企業をはるかに引き離す存在となっている。この逆転劇は、単なる価格競争や運ではなかった。会社が大きくなるため、そして日本が成長していくために必要なことを、我々はサムスンから学ぶべきなのだ。※本稿は、小柳建彦『ニッポン半導体復活の条件 異能の経営者 坂本幸雄の遺訓』の一部を抜粋・編集したものです。

三男の李健熙が父を説得し

サムスンを半導体事業へ導いた日

 李秉哲(編集部注/韓国語表記、李秉喆。サムスングループ創業者)はもともと、技術、ノウハウ、人材の欠如と投資規模の大きさを理由に、本格的な半導体事業への参入に長い間二の足を踏んでいた。

 秉哲の背中を押したのは半導体に本気で取り組むべきだと早くから唱え、後に秉哲の後を継いでサムスン・グループ会長になる、三男の李健熙だった。健熙自身が、最初は父親に反対されていたことを後に自ら回想している(注1)。

 健熙は1960年代前半、日本の早稲田大学に通いながら日本で急成長する電機産業の勢いを目の当たりした。ラジオやテレビ、ビデオデッキなどを分解しては組み立てて、部品構成や仕組みを研究したという。そうして、半導体などの部品を含めてエレクトロニクス機器に造詣を深めた(注2)。

注1 Kim Byung-wook,「Lee Kun-hee:Giant who took a leap forward」,The KoreanHerald,2020年10月25日.
注2 Tony Fu-Lai Yu, Yan Ho-Don,『Handbook of East Asian Entrepreneurship』,Routledge,2014年10月.

 健熙は1965年に早大商学部卒業後、米ジョージ・ワシントン大学ビジネススクールで経営学修士(MBA)を取得して1966年に韓国へと帰国する。まずはサムスン・グループが立ち上げたばかりのテレビ局に入社して財閥人の一歩を踏み出した。1973年にオイルショックが起きると、韓国の経済発展にはハイテク産業を育成するしかないと確信。サムスン・グループの出資先でもあった「韓国半導体」の株式の残りの半分を個人の資金で1974年に買い取り「三星半導体」と社名を変え、自ら半導体事業経営を学び始める。同社はそれまで、細々と単体トランジスタなどの電子部品を作っていたが経営難にあえいでいた。

反対する父を説得し

サムスンを半導体事業へと導く

 1978年にサムスン・グループの副会長に任命されてからも健熙は、半導体事業の重要性を父親に訴え続ける。

 もともとテクノロジー産業の重要性は認識していた秉哲は、自ら直轄のタスクフォースを作って事業の将来性や、サムスン・グループに最適な参入方法を探らせる。自分でも頻繁に日本を訪れ総合電機メーカー幹部の話を聞き、米国にも赴き状況を見聞する。

 ライバルだったラッキー金星(ラッキー・ゴールドスター、後のLG)財閥や現代財閥も半導体参入に動き出していたこともあり、とうとう1983年秉哲は、満を持して半導体の中でもDRAMに照準を定め、参入ののろしを上げたのだ(注3)。

 猛スピードで工場建設にまい進し、1984年5月には64KDRAM(編集部注/1チップあたり64キロビットの容量を持つDRAMのこと)の量産工場を竣工。同年秋から量産出荷を米欧中心に始める。

 全責任を負ってサムスン財閥のDRAM事業育成を仕切ったのは「言い出しっぺ」の健熙だった。DRAM参入直後から、健熙は自ら技術獲得に奔走する一方、要所々々で的確な経営判断を下す。

 最初は社内に人材も技術もないことを十分認識し、徹底的に社外資源を活用する。

 1983年7月にシリコンバレーに設計開発センターを開設し、半導体の「本場」で最新の技術動向を把握するとともに、米国の大学や半導体関連企業に散らばっていた韓国人技術者・研究者をスカウトする拠点とした。同時並行で技術ライセンス元を探し、結局マイクロン・テクノロジーから技術供与を受ける。

注3 Song Jae-Yong,Lee Kyungmook,『The Samsung Way』,Chapter 2 How did Samsung become a world-class corporation?」,McGraw-Hill Education,2014年.

優秀な外部の人間を登用し

1992年秋には日本を抜き去る

 サムスン財閥は以前からグループ生え抜き人材を大学新卒中心に採用し、その人材を管理職、要職に就ける内部育成型の人事・組織運営を確立していたが、半導体では思い切って外部人材を登用したのだ。もちろん博士を含む優秀な人材を米国で採用するために、シリコンバレーのハイテク企業に負けない報酬水準を用意。サムスン電子の標準的な給与体系を度外視して人を集めた(注4)。

 加えて日本や米国の半導体メーカーの技術者を非常勤の「技術顧問」として招き、製造や研究開発の現場で実地に韓国人技術者の育成を進めた。健熙自らが日本を訪れ、週末に日本の半導体メーカーの技術者を秘密裏に韓国の自宅に連れて行き、サムスンの技術者への技術指導を仰いだと、後に明かしている。

 サムスンが64KDRAMを量産出荷したのは、日本勢より4年遅れの1984年秋だった。その後、256K、1M、4Mと、世代ごとに差を詰め、とうとう1992年秋には16MDRAMの量産を日本勢と同時期に開始する。そしてサムスンは16MDRAMでDRAMの世界シェアトップの地位に台頭する。

 1990年代になると独自の素子構造などの技術開発力も持ち始めており、次の64MDRAMは他社から直接供与された技術は使わず、日本勢に先駆けて量産試作品の出荷を1992年に始める。つまり、かつての日本勢同様、キャッチアップ戦略で参入から10年以内にトップレベルに追い付き、追い越したのだ。

 これらの技術力蓄積は、80年代の人材獲得と外部人材からのノウハウ移転を重視した健熙の采配の成果といえるだろう。

リスクを覚悟した先に生まれた

サムスンの勝利の方程式とは?

 そして、もう1つ、李健熙の経営采配で日本勢を圧倒したのが設備投資だ。

 健熙はDRAMにおける規模の経済から来るコスト競争力の重要性を最初から見抜いていた。当時の王者だった日本勢に勝つために、日本のDRAMメーカーよりはるかに大きい設備投資を辛抱強く続けた。

注4 Geoffrey Cain,『Samsung Rising:The Inside Story of the South Korean Giant That Set Out to Beat Apple and Conquer Tech』, Crown Currency,2020年.

 韓国人経済学者でシンガポール国立大学教授の申璋燮らの調べによると、サムスンの半導体設備投資額は1988年以降、日本メーカーの2倍を超える設備投資をほぼコンスタントに続けている(注5)。

 1996年には日本で最も設備投資が多かったNECの3倍を超える約14億ドル、2000年には10倍を超える約24億ドルに上る。1980年代後半から設備投資で日本勢を圧倒する戦略を意識的に実行していたのである。

 一方の日本の総合電機メーカーは1990年代、損益が市況変動で大きく振れるDRAM事業の性格を嫌い、日米半導体協定の足かせもあり、DRAM以外の半導体製品の育成に力を入れ始めていた。さらにバブル崩壊後の国内景気低迷の中で、DRAM事業が赤字を出す度に投資を抑制して、最新型の製造装置の導入などを渋る場当たり的な対応を繰り返すようになっていた。

 一方でサムスンは1990年代末までほぼDRAMに集中し、大きなラインに最新型の製造装置を惜しみなく投入した。

 1990年代前半までのサムスンによる設備投資は、オーナー一族の代表でもある李秉哲と健熙によるリスクを覚悟した意思決定と、財閥全体の信用力をフル活用した海外銀行融資や外貨建て社債などによる資金調達力に支えられていた

 1990年代後半からはサムスンの半導体事業の営業利益率が競合他社を圧倒して高くなり、半導体事業からの収益を原資にした研究開発と設備投資で十分競合を圧倒できるようになる。これはサムスンの勝利の方程式となり、その好循環は近年に至るまで続いてきた。

 設備投資の規模の違いにより、1990年代後半までにサムスンと日本メーカーのDRAM工場では生産規模と製造装置の新しさで大きな差ができた。ライン当たりの生産能力、1枚のウエハーから取れるチップの数などに格差があれば、生産性で太刀打ちできなくなる。それがコストの差になり、収益力の差になった。

同書より転載

注5 Shin Jang-Sup,「Dynamic Catch-up Strategy,Capability Expansion and Changing Windows of Opportunity in the Memory Industry」,National University of Singapore working paper,2015年.

止まった日本と動き続けた韓国

結果3倍の差が生まれることに

 坂本幸雄が2002年にエルピーダメモリの社長に就いたときを思い出そう。エルピーダ(編集部注/NECと日立製作所のDRAM事業の統合を目的に、NEC日立メモリとして設立されたDRAM専業メーカー。坂本幸雄が社長を務めた)の生産委託先だった広島日本電気(NEC広島)の工場の生産規模は200ミリウエハーで月産1万5000~2万枚だった。坂本や他の業界人によると、その頃すでにサムスンは300ミリで月産10万枚規模のラインを稼働させていた。

 1990年代の設備投資の格差はここまで大きな差を作っていたのだ。

 日本のDRAMメーカーは市況悪化に苦しんでいた1997年ごろ、300ミリ工場の建設計画を相次いで凍結した。200ミリに比べて格段に投資規模が大きくなり、初期投資だけでも1000億円前後になったからだ。結果としては、300ミリ工場を稼働させた日本のDRAMメーカーは後にも先にもエルピーダのみとなる。

 2001年後半に相次いでサムスンやインフィニオン・テクノロジーズが300ミリウエハーによるDRAM量産を開始するなど、坂本の社長就任の前に、世界のDRAM産業は300ミリ時代に突入していた(注6)。つまり20世紀末までに日本の総合電機各社は、DRAMの設備競争で完全に落後していたのだ。

 坂本はこうも指摘した。

「今でも日本には半導体工場がたくさん残っていますが、全て規模が小さい。小さい工場を色々なところに分散して作ってきたからです。日本の総合電機メーカーは事業部長が代わると、新しい部長の出身地に工場ができるとよく冗談を言って笑っていたものです。工場が小さく分散していることが、日本の半導体の競争力が弱くなった根本原因の1つです。かたやサムスンは1980年代から大きいラインを複数まとめて作る大規模工場戦略を推し進めました。台湾企業も韓国のやり方に倣って工場は大きく集約して作りました」

 日本の半導体工場が小さく分散しているという問題は、今でも続く構造問題だというのだ。

注6 EE Times,「Samsung begins volume production in 300mm wafer fab」,2001年10月29日.インフィニオン・テクノロジーズ,「Infineon launches volume production ofsemiconductors on 300mm wafers」,プレスリリース,2001年12月1日.

日本のサラリーマン経営者の限界とは?

トップの適性と胆力が大きく明暗を分けた

 その背景には、投資リスクを中途半端に抑えたがる日本企業の「癖」のようなものが見える。「会社のトップがオーナーではないサラリーマンで、しかも半導体のことを分からない」日本の総合電機メーカーの経営体制に、その原因の一端があったようにみえる。

 1つの傍証がある。1980年代から1990年代にかけて東芝の半導体事業を副社長として率いた川西剛は自著で、当時の自社経営陣の半導体事業への無理解をこのように振り返っているのだ(注7)。

『ニッポン半導体復活の条件 異能の経営者 坂本幸雄の遺訓』 (小柳建彦、日経BP)

「上層部から常に、『なぜ予測がそんなに当たらないのか』、『なぜそんなにカネがかかるのか』と尋ねられた」

「半導体は予算より大幅に上回るか、大幅に下回るかのどちらかで、いつも経理担当の人からは信用されなかった。研究開発が大切だ、装置産業だ、といっても他の事業に比べ半導体の投資額が桁違いに大きくなることへの理解はなかなか得られなかった」

 10年単位ののんびりした技術変革ペースで、毎年安定的に利益を稼げる重電や通信部門出身者が主流の総合電機の経営首脳陣にとって、目まぐるしく事業環境が動く中、数年での回収を前提に巨額の投資を繰り返さなければならない半導体事業は、精神的に耐えられなかったに違いない。

 自らが体を張って半導体事業をけん引したトップが率いるサムスン・グループとは、日本の総合電機は経営者の適性や胆力でそもそも勝負にならなかったと言ってもよいくらいだろう。

注7 川西剛,『わが半導体経営哲学』,工業調査会,1997年1月.