「SiC半導体大手が経営難」ルネサスとロームを直撃

加工が難しいSiCウェハーは近年、大口径化が進んで生産性向上が期待されていたが……(編集部撮影)
「まさに事故ですよね。2年前にはこんなことになるなんて誰も思っていなかった」
【図解】「堅実経営」で知られたロームの業績が急速に悪化
次世代パワー半導体として期待されてきたSiCパワー半導体が大荒れだ。
5月21日、半導体メーカー・ルネサスエレクトロニクス株が一時4%下落した。発端となったのは、アメリカの大手SiCパワー半導体メーカー・ウルフスピードが破産法の申請に向けて動いていると報じられたことだ。
巨額の減損損失リスク
ウルフスピードは、SiCパワー半導体や、その基板となるSiCウェハーを手がけるトップメーカーの1社。同社に対して、ルネサスは2023年に20億ドル(約2860億円)を「預託金」という形で貸し付ける契約を結んでいる。

2023年にSiCウェハー供給契約を提携した、ルネサスエレクトロニクスの柴田英利CEO(左)と、ウルフスピードのグレッグ・ロウ元CEO(右、2024年11月に辞任)(写真:ルネサスエレクトロニクス)
仮にウルフスピードが破綻して回収が不可能になれば、巨額の減損損失もありうる。冒頭で、半導体メーカー関係者が“事故”と表現したのはこのことだ。
そもそも、なぜルネサスが同じ半導体メーカーであるウルフスピードに対して20億ドルという巨額の貸し付けを行ったのか。この背景には、ルネサスだけでなく市場全体が抱える、SiCパワー半導体という技術領域の特殊性がある。
家電や自動車、産業機械などで幅広く用いられ、電力の制御や変換を行っているのがパワー半導体だ。中でも、材料としてシリコンではなく炭化ケイ素(SiC)を用いる「SiCパワー半導体」は、シリコンよりも高い電圧に耐えられ、省電力性にも優れるという特徴を持つ。特に、EVの高性能化のためには、SiCパワー半導体が欠かせない。
SiCパワー半導体が一般的なパワー半導体と大きく異なるのは、そのサプライチェーンの構造にある。
SiCパワー半導体の原料となるSiCウェハーは、製造・加工の難易度が非常に高い。加えて、市場規模がシリコンウェハーに比べて圧倒的に小さいため、シリコンウェハーで世界トップの信越化学工業やSUMCOといった企業は、SiCウェハーの製造には参入していない。
結果として、従来のパワー半導体とは全く異なるプレーヤーによるサプライチェーンができている。
長年SiCを手がけてきたウルフスピードは、SiCパワー半導体そのものだけではなく、ウェハーまでを自社で生産している。ウェハーは、ほかの半導体メーカーにも外販している。
足元での市場環境の変化に加え、ウルフスピードからの調達というサプライチェーンが崩れたことで、ルネサスはSiCの開発そのものを中断する事態となっている。
“オールイン”してきたローム
一方で、SiCパワー半導体に対して“オールイン”してきたのが、半導体メーカーのロームだ。2024年度には、SiC向けの工場を中心に176億円の減損損失を計上。SiC以外の半導体の低迷も相まって、500億円の最終赤字に沈んだ。
これまでにSiC向けに2000億円以上の投資を行ってきたことを踏まえれば、今回の減損の金額は限定的となりそうだ。
市場の構造が一気に変わった中でどう戦うのか。SiC市場をめぐる半導体メーカーの苦悩は深まるばかりだ。